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1C DRAM,SK hynix全球首发
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1C DRAM,SK hynix全球首发
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2024-8-29 10:56:22
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发表时间:2024-8-29 10:56:22
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来源:内容编译自skhynix,谢谢。
SK海力士今日宣布,全球首次成功开发出采用第六代10纳米级(1c)工艺的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5 DRAM。由此,公司向世界展现了10纳米出头的超微细化存储工艺技术。
SK海力士强调:“随着10纳米级DRAM技术的世代相传,微细工艺的难度也随之加大,但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代(1b)技术力为基础,提高了设计完成度,率先突破了技术极限。公司将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备,从明年开始供应产品,引领半导体存储器市场发展。”
公司以1b DRAM平台扩展的方式开发了1c工艺。SK海力士技术团队认为,由此不仅可以减少工艺高度化过程中可能发生的尝试错误,还可以最有效地将业界内以最高性能DRAM受到认可的SK海力士1b工艺优势转移到1c工艺。
而且,SK海力士在部分EUV工艺中开发并适用了新材料,也在整个工艺中针对EUV适用工艺进行了优化,由此确保了成本竞争力。与此同时,在1c工艺上也进行了设计技术革新,与前一代1b工艺相比,其生产率提高了30%以上。
此次1c DDR5 DRAM将主要用于高性能数据中心,其运行速度为8Gbps(每秒8千兆比特),与前一代相比速度提高了11%。另外,能效也提高了9%以上。随着AI时代的到来,数据中心的耗电量在继续增加,如果运营云服务的全球客户将SK海力士1c DRAM采用到数据中心,公司预测其电费最高能减少30%。
SK海力士DRAM开发担当副社长金锺焕表示:“1c工艺技术兼备着最高性能和成本竞争力,公司将其应用于新一代HBM1、LPDDR62、GDDR73等最先进DRAM主力产品群,由此为客户提供差别化的价值。今后公司也将坚守DRAM市场的领导力,巩固最受客户信赖的AI用存储器解决方案企业的地位。”
领先三星
业内人士早在4月8日透露,SK海力士已制定内部路线图,计划在第三季度内获得客户认证并开始量产10纳米级第六代DRAM。目前业界领先的DRAM产品双倍数据速率(DDR)5 16Gb(千兆位),预计将正式获得与英特尔服务器平台的兼容性认证。
一旦 SK 海力士的 DRAM 获得英特尔 CPU 使用认证,它很快就会看到运营数据中心的大型科技公司的需求激增。英特尔与 AMD 共同主导着全球服务器 CPU 市场,占据着 70-80% 的市场份额。业内专家预测,由于 DDR5 是一种商品,各公司都在提前做好准备,预计在获得英特尔认证后将迅速开始向亚马逊和微软等大客户销售。
SK海力士去年1月,10纳米级第四代(1a)DDR5服务器用DRAM获得英特尔认证,创下全球首例;5月,10纳米级第五代(1b)DDR5再次创下全球首例,进入英特尔数据中心兼容性验证阶段。目前,SK海力士正加快步伐,力争凭借即将于第三季度推出的第六代(1c)产品再创“全球首例”。
对比两家公司公开的路线图,SK海力士10纳米级第六代DRAM量产时间表领先于三星电子。三星计划于今年12月通过客户认证并开始量产。上个月,在美国硅谷举行的MemCon 2024全球半导体会议上,三星公布了其下一代DRAM的开发路线图,宣布计划在今年年底前量产第六代10纳米级DRAM。
10nm级第六代产品将采用尖端的极紫外(EUV)光刻工艺,与之前的第五代10nm级产品相比,可实现更高的净芯片数量(Net Die,即每个晶圆可生产的芯片数量)并提高功率效率。
三星电子还计划在今年 12 月之前获得客户认证并进行量产,正如最近在硅谷举行的 MemCon 2024 会议上所透露的那样,该公司在会上披露了其在年底前生产第六代 10 纳米级 DRAM 的计划。
第六代 10 纳米级 DRAM 代表了目前最高端的第五代 10 纳米级产品的下一代。两种工艺均采用了先进的 EUV 光刻技术,但第六代工艺将用于更多电路,从而实现比第五代工艺更高的净芯片良率和更高的功率效率。
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