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三星正式官宣，计划于2025年开始量产2纳米芯片，并预计在2027年推出1.4纳米工艺。这次的计划覆盖了多个技术节点，包括 SF2、SF2P、SF2X、SF2A和SF2Z等版本，每一版都在提升性能的同时进行技术深化。
特别值得一提的是，三星的第一代2纳米技术SF2预计将于明年完成所有筹备工作，为其商业化铺平道路。而更先进的SF2Z节点则计划在2027年投入市场使用，该技术整合了创新的后端供电网络（BSPDN），旨在极大提升能源利用效率。
除了工艺节点的推进外，三星还对其多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构进行了深度优化。这种新型晶体管通过采用先进的外延技术和集成方案，在性能方面取得了11%至46%的飞跃，并降低了约50%的漏电流。
与此同时，三星与Arm达成战略协作并共同优化基于最前沿GAA晶体管技术的下一代Arm Cortex-X和Cortex-A CPU内核，进一步巩固了三星在半导体技术领域的领先地位。
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